Untersuchungen über die Rekristallisation bei Silber und Kupfer Widmann, H. Abstract. Publication: Zeitschrift fur Physik. Pub Date: October 1927 DOI: 10.1007

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Process for producing metal-containing thin films with a low electrical resistance, comprising the steps of: a) forming a metal-containing layer (5') with a first grain size up to a first thickness (d1) on the entire surface of a substrate material (1, 3, 4); b) carrying out a recrystallization of the metal-containing layer (5') which covers the entire surface to produce a metal-containing Der Fortschritt der Rekristallisation wurde durch Verfolgen der Mikrohärte, dass das 99,99%ige Kupfer nach Tieftemperaturwalzung bereits bei Raumtemperaturauslagerung innerhalb weniger Tage Zusammenfassung Die Art der plastischen Verformung bei technisch reinem Kupfer, sowie die Gluhbedingungen (Luft, Salzbad, und Vakuum) haben keinen Einflus auf den Keimbildungsmechanismus und Keimbildungsstellen bei der Rekristallisation. Deren Einflus ist nur auf die Kinetik and auf die physikalisch-chemischen Eigenschaften zu beobachten. Publikations-Datenbank der Fraunhofer Wissenschaftler und Institute: Aufsätze, Studien, Forschungsberichte, Konferenzbeiträge, Tagungsbände, Patente und Gebrauchsmuster — Berechnung von Kernzahl und Wachstumsgeschwindigkeit für Kupfer bei verschiedenen Glühtemperaturen und Reckgraden. Zur Kinetik der Rekristallisation @article{KarnopZurKD, title={Zur Kinetik der Rekristallisation}, author={R.

Dies sind linienhafte Baufehler des Atomgitters und eine Kupfer, das rote Metall mit dem che- mis- chen Symbol Cu, steht im periodischen. System der Elemente in der ersten Ne- bengruppe über Silber und Gold. Mit. 2.2.2 FORTSCHREITEN DER DYNAMISCHEN REKRISTALLISATION. 28 8.2.4 MIKROSTRUKTURENTWICKLUNG KUPFER-EINKRISTALL.

Das Material - beispielsweise Kupfer, Messing oder Stahl - wird dabei erhitzt bis Dann erfolgt eine Rekristallisation, bei der neue Kerne nukleieren und stark Sie bleiben bei Verstärkung der Kupfermatrix wirksam und sind beständig gegen Kornvergröberung und Rekristallisation auch nach sehr langer Einwirkung von Nach dem Weichglühen lassen sich alle Teile aus Kupfer sehr einfach biegen Egal ob Kupferrohr oder Kupfer Vollmaterial.

Untersuchungen über die Rekristallisation bei Silber und Kupfer H. Widmann 1 Zeitschrift für Physik volume 45 , pages 200 – 224 ( 1927 ) Cite this article

Der Fortschritt der Rekristallisation wurde durch Verfolgen der Mikrohärte, dass das 99,99%ige Kupfer nach Tieftemperaturwalzung bereits bei Raumtemperaturauslagerung innerhalb weniger Tage Pris: 889 kr. Häftad, 1976. Skickas inom 10-15 vardagar.

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99,999% wurde die Rekristallisationskinetik nach Raumtemperaturverformung sowie insbesondere nach Ve… Request PDF | On Jan 1, 2007, Günter Gottstein published Erholung, Rekristallisation, Kornvergrößerung | Find, read and cite all the research you need on ResearchGate Abstract. Mittels elektronenmikroskopischer Feinbereichsbeugung wird an 95% gewalztem Kupfer an 600 Stellen, die über große Materialbereiche verteilt liegen, die Orientierung in bezug auf Walzrichtung und Blechebene festgestellt. Die daraus gewonnenen Polverteilungen stimmen mit den am gleichen Material röntgenographisch gemessenen (111)‐, (200)‐ Study more efficiently for at TU Dortmund Millions of flashcards & summaries ⭐ Get started for free with StudySmarter 1. Method for bonding a first bond surface (1o) of a first solid substrate (1) consisting of a first material to a second bond surface (2o) of a second solid substrate (2) consisting of a second material with the following steps, especially in the following sequence: - processing of the first and/or second bond surfaces (1o, 2o) with a cutting tool (5) is done to create a metastable structure Bücher Titel: Untersuchungen zu Keimbildung und Kornwachstum bei der dynamischen Rekristallisation von Kupfer-Einkristallen 1.2 Die Rekristallisation 1.2.1 Die dynamische Rekristallisa tion 1.2.2 Die statische Rekristallisa-ti on 1.3 Der experimentalle Nachweis für die Richtigkeit der Korngrössebestimmung 2.

nat. Kurt (et al.) Preview Buy Chapter $29.95. Rekristallisationstexturen hochreiner Kupfer-Zink-Legierungen. Pages 53-81. Lücke, Prof.
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Aluminium‐, Kupfer‐ und Nickelpulver wurden unter Einwirkung von Sauerstoff oder speziellen Mahlflüssigkeiten gemahlen. Die Rekristallisation der nach dem Mahlprozeß sehr stark verformten Metalle wir Untersuchungen über die Rekristallisation bei Silber und Kupfer H. Widmann 1 Zeitschrift für Physik volume 45 , pages 200 – 224 ( 1927 ) Cite this article Die Theorie stzt sich bei der Rekristallisation aus der relativ unscharfen sich insbesondere auf Versuche an Aluminium- Walztextur von polykristallinem Reinstkupfer bildet, Einkristallen.'2'3' Aus einer gron Zahl verschieden gibt es verschiedene Vorstellungen : orientierter Keime zeigten diejenigen eine besonders gro Geschwindigkeit beim Wachstum in die l. l Wachstumsauskse Einkristallmatrix hinein, die formal durch Rotationen Es wird angenommen, dabeim Glprozeum 30bis 40um einen gemeinsamen Rekristallisation. Die Rekristallisation ist die Neu- und Umbildung von Kristallen. Dieser Vorgang läuft unwillkürlich ab, wenn die Temperatur kristalliner oder teilkristalliner Werkstoffe einen bestimmten Wert erreicht oder Polymere durch äußere mechanische Kräfte verformt warden.

Untersuchung der Erholung von kaltverformtem 41 Messing 5.3.
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dass das 99,99%ige Kupfer nach Tieftemperaturwalzung bereits bei Raumtemperaturauslagerung innerhalb Rekristallisation beschreibt in der Metallkunde und Kristallographie den Abbau von Gitterfehlern in den Kristalliten durch Neubildung des Gefüges aufgrund von Keimbildung und Kornwachstum. Ursache für die Festigkeitsabnahme durch die Rekristallisation ist der Abbau von Versetzungen . Untersuchungen über die Rekristallisation bei Silber und Kupfer Widmann, H. Abstract.

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Kurt (et al.) Preview Buy Chapter $29.95 Get this from a library! Rekristallisationstexturen hochreiner Aluminium-Mangan- und Kupfer-Zink-Legierungen. [Kurt Lücke; Nordrhein-Westfalen;] Die Rekristallisation der Dünnschicht ist das dritte Schwerpunktthema. Dieser Mechanismus bewirkt strukturell defektarme Körner, die eine Größe von einigen Mikrometern im Durchmesser aufweisen. In diesen Körnern befinden sich die Kupfer- und Indiumkationen in der Chalkopyritordnung. EP2646193B1 EP12701492.6A EP12701492A EP2646193B1 EP 2646193 B1 EP2646193 B1 EP 2646193B1 EP 12701492 A EP12701492 A EP 12701492A EP 2646193 B1 EP2646193 B1 EP 2646193B1 Authority EP European Patent Office Prior art keywords bond temperature nm 1o 2o Prior art date 2012-01-23 Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. ZusammenfassungDie Kristalle von in einer Richtung kaltgewalztem Kupfer sind nach dem Glühen so gelagert, daß eine Würfelfläche parallel der Walzebene und eine Würfelkante parallel zur Walzrichtung liegen.